磁気

自己インダクタンスとは?Lの定義とエネルギー【電験三種 理論】

L = NΦ/I と自己誘導起電力

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よっしゃ!第15講スタートや!

今回は「自己インダクタンス」を学ぶで。

コイルが自分自身に誘導を起こす現象や!

前回学んだ誘導起電力 e = -N(dΦ/dt) を応用して、コイル自身が作る磁束による誘導を考えるで。

📚 この講座で学ぶこと

✅ 自己誘導の現象を理解

✅ 自己インダクタンス L = NΦ/I

✅ 自己誘導起電力 e = -L(dI/dt)

✅ インダクタンスの単位 [H]

✅ ソレノイドのインダクタンス計算

💡 インダクタンスは「電気の慣性」

重い物体が急に動けないように、コイルは電流を急に変化させられへん。

インダクタンス L が大きいほど、この「動きにくさ」が大きくなるんや。

交流回路や電源回路で超重要な概念やで!

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まずは自己誘導の現象から見ていこか!

コイルに電流を流すと... I Φ 自己誘導 電流 I が流れると コイル自身を貫く 磁束 Φ が発生

📌 自己誘導のポイント

🔹 コイルに電流 I を流す → 磁束 Φ が発生

🔹 電流 I が変化 → 磁束 Φ も変化

🔹 磁束が変化 → 誘導起電力が発生!

つまり、コイルは「自分で自分に誘導をかける」んや!

💡 自己誘導のイメージ

コイルに電流を流すと、コイル自身が電磁石になる。

電流を増やそうとすると → 磁束も増える → レンツの法則で増加を妨げる

電流を減らそうとすると → 磁束も減る → レンツの法則で減少を妨げる

つまり「コイルは電流変化を嫌う」性質があるんや!

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ここで大事な関係を確認するで!

電流 I と磁束 Φ の関係 I Φ ΔI ΔΦ 重要な関係 Φ と I は比例する Φ ∝ I (コイルの形状が同じなら)

💡 なぜ比例するの?

電流 I → 磁界 H → 磁束密度 B → 磁束 Φ

すべて I に比例するから、Φ ∝ I になる!

この比例定数が「インダクタンス」なんや!

💡 比例関係を式で確認

磁界 H = nI(アンペアの周回積分より)← I に比例

磁束密度 B = μH = μnI ← I に比例

磁束 Φ = BS = μnIS ← I に比例

全部の式で I は1乗だけ。だから Φ と I は正比例するんや!

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さあ、自己インダクタンス L の定義を学ぶで!

これが今回の主役や!

自己インダクタンスの定義
\( L = \frac{N\Phi}{I} = \frac{\Psi}{I} \)

L: 自己インダクタンス [H](ヘンリー)
N: コイルの巻数
Φ: 1回巻きあたりの磁束 [Wb]
Ψ = NΦ: 鎖交磁束 [Wb]
I: 電流 [A]

📌 インダクタンスの意味

🔹 L が大きい = 同じ電流でも磁束がたくさん発生

🔹 L が大きい = 電流変化に対して大きな起電力

🔹 単位 [H] = [Wb/A] = [V·s/A]

💡 単位ヘンリー[H]の由来

アメリカの物理学者ジョセフ・ヘンリーにちなんだ単位。

彼はファラデーとほぼ同時期に電磁誘導を発見したんや!

単位の換算:1H = 1Wb/A = 1V·s/A = 1Ω·s

「1Aの電流で1Wbの磁束を作るコイル」が1Hやな。

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ほな、最初の問題いくで!

🧠 問題1

200回巻きのコイルに 5 A の電流を流したとき、コイル1回巻きあたり 0.01 Wb の磁束が発生した。

このコイルの自己インダクタンス L は何 H か?

💡 ヒント

L = NΦ/I を使う。

N = 200、Φ = 0.01 Wb、I = 5 A を代入するだけや!

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公式に代入してみよか!

L = NΦ/I を使う

N = 200

Φ = 0.01 Wb

I = 5 A

💡 計算の手順

① まず分子 NΦ = 200 × 0.01 = 2

② 次に分母 I = 5 で割る

③ L = 2 ÷ 5 = ?

🔄 確認

L = (200 × 0.01) / 5 = 2 / 5 = ?

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発展問題や!鎖交磁束を使って考えてみ。

🔥 発展

上のコイルの鎖交磁束 Ψ = NΦ は何 Wb か?

💡 鎖交磁束とは?

1回巻きあたりの磁束 Φ が N 回巻きコイル全体を貫く総量。

Ψ = NΦ で計算できる。単位は [Wb] のまま。

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次は自己誘導起電力の公式を導出するで!

これがインダクタンスの最重要公式や!

【導出】自己誘導起電力

① ファラデーの法則: e = -N(dΦ/dt)

② L = NΦ/I より NΦ = LI

③ 微分: N(dΦ/dt) = L(dI/dt)

④ よって: e = -L(dI/dt)

自己誘導起電力
\( e = -L \frac{dI}{dt} \)

e: 誘導起電力 [V]
L: 自己インダクタンス [H]
dI/dt: 電流の時間変化率 [A/s]

💡 マイナスの意味

電流が増加 → 起電力は電流を減らす向き

電流が減少 → 起電力は電流を維持する向き

これもレンツの法則!変化を妨げるんや。

💡 e = -L(dI/dt) の直感的理解

L が大きいほど:同じ電流変化に対して大きな起電力発生

dI/dt が大きいほど:急激な変化ほど大きな起電力発生

例:L = 1H で、1秒間に1A変化 → 1V の起電力

もし 0.01秒で1A変化したら → 100V の起電力!

これが「キックバック電圧」と呼ばれる現象や。

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電流が変化したときの起電力の向きを確認しよか!

電流変化と自己誘導起電力 電流が増加中 I↑ 起電力 e は I を減らす向き 電流が減少中 I↓ 起電力 e は I を維持する向き

📌 コイルの性質

コイルは「電流の変化を嫌う」性質がある!

🔹 急に電流を流そうとしても → ゆっくりしか流れない

🔹 急に電流を止めようとしても → すぐには止まらない

💡 コイルの性質を「重い車」でイメージ

コイルは電気回路における「慣性」のようなもの。

重い車が急に動けないし、動いたら急に止まれないのと同じや。

実用例:

・スイッチを切ったときの火花 → 電流を維持しようとして高電圧発生

・蛍光灯の点灯回路 → コイルで高電圧を発生させて放電開始

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平均の起電力を計算する公式も確認しとこか!

試験ではこの形で出ることが多いで。

平均の自己誘導起電力
\( |e_{avg}| = L \frac{\Delta I}{\Delta t} \)

【計算例】

L = 2 H のコイルに流れる電流が

0.1秒間で 5 A から 3 A に変化

|e| = 2 × |3-5|/0.1 = 2 × 2/0.1 = 40 V

💡 単位の確認

[H] × [A/s] = [V·s/A] × [A/s] = [V]

ちゃんと電圧の単位になるな!

💡 計算のコツ

ステップ1:ΔI(電流の変化量)を求める → 終わり - 始め

ステップ2:ΔI/Δt(変化率)を計算

ステップ3:L を掛ける

「大きさ」を聞かれたら絶対値、「向き」を聞かれたらレンツの法則!

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ほな、自己誘導起電力の問題いくで!

🧠 問題2

自己インダクタンス L = 0.5 H のコイルがある。

電流が 0.02 秒間で 0 A から 4 A に変化したとき、発生する起電力の大きさは何 V か?

💡 ヒント

|e| = L × (ΔI/Δt) を使う。

まず ΔI/Δt = 4/0.02 を計算してから、L を掛けよう!

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順番に計算しよ!

|e| = L × (ΔI/Δt)

L = 0.5 H

ΔI = 4 - 0 = 4 A

Δt = 0.02 s

💡 計算の手順

① まず ΔI/Δt = 4/0.02 = 200 A/s

② 次に L を掛ける: 0.5 × 200 = ?

🔄 確認

|e| = 0.5 × (4 / 0.02) = 0.5 × 200 = ?

発展ルート

発展問題!起電力の向きを考えてみ。

🔥 発展

電流が 0→4 A に増加中、自己誘導起電力の向きはどうなる?

💡 レンツの法則を思い出そう

誘導起電力は「変化を妨げる向き」に発生する。

電流が増加中 → 増加を妨げたい → どっち向きの起電力?

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ソレノイド(長いコイル)のインダクタンスを求めよか!

ソレノイドコイル 長さ l [m] 断面積 S [m²] 巻数 N 透磁率 μ

【導出】ソレノイドの L

① 磁界: H = nI = (N/l)I

② 磁束密度: B = μH = μ(N/l)I

③ 磁束: Φ = BS = μ(N/l)IS

④ L = NΦ/I = μN²S/l

ソレノイドの自己インダクタンス
\( L = \mu \frac{N^2 S}{l} = \mu n^2 V \)

n = N/l: 単位長さあたりの巻数
V = Sl: コイルの体積

💡 公式の各項の意味

μ(透磁率):磁束の通りやすさ。鉄心を入れると数千倍に!

N²(巻数の2乗):巻数を2倍にするとLは4倍。最も効果的!

S(断面積):太いコイルほど磁束が多く通る

l(長さ):短いほど磁界が強くなる(H = NI/l より)

なぜN²になるか:①磁束Φ自体がNに比例 ②さらにN回巻きでもう1回N倍

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インダクタンスを大きくする方法を整理するで!

L = μN²S/l を大きくするには? μ↑ 鉄心を入れる (透磁率アップ) N↑ 巻数を増やす (N²で効く!) S↑ 断面積を 大きくする l↓ 長さを 短くする 💡 最も効果的なのは? 巻数 N(N² に比例するから!)

📌 実用上のポイント

🔹 鉄心入りコイル: μ が数千倍 → L も数千倍!

🔹 巻数を2倍にすると L は4倍

🔹 空芯コイル vs 鉄心コイルで L は大きく違う

💡 実際の製品での活用

電源回路のチョークコイル:鉄心入りで高インダクタンス

高周波コイル(RF):空芯で低インダクタンス

トロイダルコイル:ドーナツ型で磁束漏れが少なく効率的

試験のポイント:「Lを○倍にするには?」→「N²に比例」を使う!

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具体的な計算例を見てみよか!

【例題】空芯ソレノイドのインダクタンス

巻数 N = 500、長さ l = 0.2 m、断面積 S = 4×10⁻⁴ m²

空芯なので μ = μ₀ = 4π×10⁻⁷ H/m

【解答】

L = μ₀N²S/l

= (4π×10⁻⁷) × 500² × (4×10⁻⁴) / 0.2

= (4π×10⁻⁷) × 250000 × (4×10⁻⁴) / 0.2

= (4π×10⁻⁷) × (5×10⁵)

= 4π × 10⁻² × 0.5 = 2π × 10⁻² ≈ 0.063 H

💡 空芯コイルは L が小さい

空芯だと mH(ミリヘンリー)オーダーになることが多い

鉄心を入れると H(ヘンリー)オーダーに!

💡 計算のコツ

μ₀ = 4π×10⁻⁷ の扱い方:

・4π ≈ 12.56 と覚えておくと概算しやすい

・10⁻⁷ の指数計算を慎重に!

よくある間違い:

・N² を忘れる(N だけ掛ける)

・l で割り忘れる

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ソレノイドの問題いくで!

🧠 問題3

ソレノイドの巻数を2倍にし、長さを半分にした。

自己インダクタンス L は元の何倍になるか?

(断面積と透磁率は変わらないとする)

💡 ヒント

L = μN²S/l を使う。

N → 2N で N² は何倍? l → l/2 で 1/l は何倍?

それぞれの倍率を掛け合わせよう!

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公式で考えよか!

L = μN²S/l より

N → 2N にすると: N² → 4N²(4倍)

l → l/2 にすると: 1/l → 2/l(2倍)

💡 比例関係のポイント

μ, S は変わらないので、N² と 1/l の変化だけ考える。

倍率の計算は「掛け算」になるで!

🔄 確認

4倍 × 2倍 = ?

発展ルート

発展問題!別の表現で考えてみ。

🔥 発展

L = μn²V の形で考えると、n(単位長さあたりの巻数)は元の何倍?

(N→2N、l→l/2 のとき)

💡 n = N/l を使って考える

n = N/l なので、N が 2倍、l が 1/2 になると…

n = 2N / (l/2) = 2N × (2/l) = 4N/l

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コイルの直列接続を考えよか!

インダクタンスの直列接続 L₁ L₂ I 合成: L = L₁ + L₂
直列接続の合成インダクタンス
\( L = L_1 + L_2 + L_3 + \cdots \)

(相互誘導がない場合)

📌 抵抗の直列と同じ!

直列接続では単純に足し算になる

(磁気的な結合がない場合)

💡 なぜ直列は足し算になるのか

直列では同じ電流 I が両方のコイルに流れる。

全体の起電力 = L₁(dI/dt) + L₂(dI/dt) = (L₁ + L₂)(dI/dt)

つまり、合成インダクタンス L = L₁ + L₂

注意:「磁気的結合がない場合」の条件が重要!

2つのコイルが近くて影響し合う場合は相互インダクタンスも考慮。

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次は並列接続や!

インダクタンスの並列接続 L₁ L₂ 合成 1/L = 1/L₁ + 1/L₂
並列接続の合成インダクタンス
\( \frac{1}{L} = \frac{1}{L_1} + \frac{1}{L_2} \)

2個の場合: \( L = \frac{L_1 L_2}{L_1 + L_2} \)

💡 抵抗の並列と同じ!

逆数の和をとって、また逆数にする

コンデンサの直列とも同じ形や!

💡 2個の場合は「和分の積」を使う

L = L₁L₂ / (L₁ + L₂)

計算のコツ:分子は掛け算、分母は足し算と覚える!

並列の合成は、元のどの値よりも小さくなる

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R、L、C の接続を比較しとこか!

素子 直列 並列
抵抗 R R = R₁ + R₂ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂
インダクタンス L L = L₁ + L₂ 1/L = 1/L₁ + 1/L₂
キャパシタンス C 1/C = 1/C₁ + 1/C₂ C = C₁ + C₂

📌 覚え方

🔹 R と L は同じパターン

🔹 C は逆パターン(直列と並列が入れ替わる)

💡 なぜ C だけ逆パターン?

R と L:直列で電流が同じ → 電圧が足し算 → 抵抗・インダクタンスも足し算

C:直列で電荷が同じ → 電圧が足し算 → でも V = Q/C だから 1/C が足し算

要するに、C は「電圧と電荷の関係式」が R や L と違うから逆パターンになるんや。

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総合問題いくで!

🧠 問題4

L₁ = 4 H と L₂ = 12 H のコイルを並列接続した。

合成インダクタンスは何 H か?

💡 ヒント

並列接続なので「和分の積」を使う。

L = L₁L₂ / (L₁ + L₂) = (4×12) / (4+12)

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和分の積を使おか!

L = L₁L₂/(L₁+L₂)

= (4 × 12) / (4 + 12)

= 48 / 16 = ?

💡 計算の手順

① 分子(掛け算): 4 × 12 = 48

② 分母(足し算): 4 + 12 = 16

③ 割り算: 48 ÷ 16 = ?

🔄 確認

48 ÷ 16 = ?

発展ルート

発展問題!直列の場合と比較してみ。

🔥 発展

L₁ = 4 H、L₂ = 12 H を直列接続した場合、合成インダクタンスは?

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自己インダクタンスの重要ポイントをまとめるで!

項目 公式・内容
定義 \( L = \frac{N\Phi}{I} = \frac{\Psi}{I} \)
自己誘導起電力 \( e = -L \frac{dI}{dt} \)
ソレノイド \( L = \mu \frac{N^2 S}{l} \)
単位 [H] = [Wb/A] = [V·s/A]
直列 L = L₁ + L₂
並列 1/L = 1/L₁ + 1/L₂

💡 試験に出る!重要ポイント3選

e = -L(dI/dt) → 電流が急変すると高電圧発生!

L = μN²S/l → 巻数の2乗に比例(N を2倍にすると L は4倍)

接続 → R と L は同じパターン、C は逆パターン

💡 次の講座への準備

第16講では相互インダクタンスを学ぶで!

2つのコイルが互いに影響し合う現象や。

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お疲れ様!第15講「自己インダクタンス」完了や!

📚 今日学んだこと

自己誘導: コイルが自分自身に誘導をかける

インダクタンス: L = NΦ/I [H]

自己誘導起電力: e = -L(dI/dt)

ソレノイド: L = μN²S/l

接続: 直列は足し算、並列は逆数の和

💡 試験前チェックリスト

□ L = NΦ/I の各文字の意味を説明できる?

□ e = -L(dI/dt) のマイナスの意味を説明できる?

□ L = μN²S/l で「N² に比例」を使いこなせる?

□ R, L, C の直列・並列パターンを区別できる?

インダクタンスは交流回路で超重要な概念や!

「電流の変化を嫌う」性質をしっかり覚えといてな。

お疲れさん!第15講「自己インダクタンス」終了や!

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獲得ポイント
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メイン正解
0
サポート利用
0
発展正解

💡 今日のまとめ

コイルは「電流の変化を嫌う」性質がある!

L が大きいほどこの性質が強くなる。

次回は2つのコイルが影響し合う「相互インダクタンス」を学ぶで!

次の講座
▶ 第16講:相互インダクタンス